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l/f转折频率低于6 Hz,因而噪声密度响应很平坦。无论在30 Hz还是1 kHz测量噪声,其值仅为6 nV/√Hz。即使在需要较大输出摆幅时,输入级的JFET部分也能使OP275具有高压摆率,从而保持低失真。该器件的压摆率为22 V/µs,在所有标准音频放大器中最快。最可喜的是,实现这种低噪声和高速性能所耗用的电源电流不到5 mA,低于所有标准音频放大器。
相对于纯双极性设计,偏置和失调电流大大降低,从而直流性能得以改善。输入失调电压能保证达到1 mV,通常低于200 µV。因此OP275可以用在许多直流耦合或求和应用中,无需进行特别选择,或者因采用附加失调电压调整电路而增加噪声。
输出能够将600 Ω负载驱动至10 V(均方根),同时保持低失真。3 V(均方根)时THD+N低至0.0006%。
OP275的额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围,采用塑封DIP和SOIC-8两种封装。SOIC-8封装以2500片卷盘形式提供。出于各种原因,许多音频放大器都不提供SOIC-8表贴封装;不过,OP275经过特别设计,采用表贴封装也能提供最高性能。