德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器世纪90年代，人们开始探索该方法在机械系统中的应用，并认为MEMS系统最有可能采用结德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器
构德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器化设计方法〔’，〕.而到了1995年，美国国家自然科学基金委员会在加州理工大学(Caltech )
组织召开的“Structure德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器d Design Method for MEMS"研讨会上正式提出了MEMS的结构化设
计方法〔‘.〕。这德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器种结构化设计方法借鉴了微电子设计(EDA)的成功经验，强调类似于EDA的
分层次自顶向下(T德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器op-Down)设计，如图1-2所示.这种自顶向下的结构化设计方法从系统
的整体功能人手进行设计德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器，强调MEMS的系统级设计，然后逐级进行设计综合，直至生成
MEMS加工用的版图.该方法被认为有望显著提高MEMS的设计效率，甚至可以产生类似
于微电子设计那样的设计与加工分离.当前，国际上几乎所有的MEMS集成设计工具均基于
此德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器方法进行开发。
    但德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器MEMS技术的发展速度很快，特别是进人21世纪后MEMS技术更是得到了迅猛的发
展。德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器MEMS技术的高速发展也给MEMS结构化设计方法及设计工具带来了很大的冲击和
挑战。
   德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器 首先在设计流程上，结构化设计方法强调一种自顶向下的设计流程.这固然符合结构化德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器
设计的思想德力西DZ47-63配合的过欠压脱扣器，并且这种设计流程已经在微电子设计领域取得了巨大的成功，但MEMS毕竟不
同于微电子，再复杂的微电子电路也可用晶体管、电阻、电容、电感等几种简单的元器件来表
示，而对于功能、原理、形式、工艺都复杂多变的MEMS器件来说，其很难像微电子那样用几种
简单的组件来表征任意复杂的MEMS结构。因此，完全照搬微电子的设计方案，并用这一种
自顶向下的流程来统一所有MEMS器件的设计，显然并不科学。

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