RE DIXON射频发生器

   上海胤旭机电设备有限公司优价销售RE DIXON射频发生器\流量控制器\反应器

RE DIXON位于出来的内华达州卡森城，离Tahoe湖一分钟。RE DIXON公司目前房子 3 万平方英尺的设施，以处理设备、 零部件和服务。

RE DIXON所提供的服务：

* 电解抛光* 轨道焊接* 工程 & 设计

* 合同制造* 原型* 现场服务* 创业公司* 关闭* 预定下午* 系统故障排除和修复* 工厂再制造* 气面板维修* 完成反应器再制造* 射频发生器* 电梯环和基板* 电子控制小组升级* 钟罩修理* 射频线圈的重建* 切换开关将重建* 双子座 I、 II、 III 将重建* 金反射器和修复* 技术支持

RE DIXON公司主要产品描述：

RE DIXON  Rexon 8 ® 反应器室

Rexon 8 ® 是已完成的最复杂过程的外延反应器室放大的版本、 重掺杂衬底、 原位多掺杂浓度和控制的掺杂梯度层的尖锐过渡宽度增长。Rexon 8 ® 反应器室被设计用于所有类型的半导体器件的制造。设计要满足的要求的超大规模集成电路、 CMOS、 离散、 数字、 线性模拟与聚介电分离设备。立式气体入口，旋转碳化硅涂层热感，加上专利的钟形配置和可调射频线圈的设计，给出了处理的晶片负载优良均匀性的厚度和电阻率。处理室和水暖设计有已制造的最高标准，以消除金属污染物。水和空气冷却黄金反射罩反射回的硅晶片的正面能量。这减少了通过晶圆片的温度差异所引起的应力。Rexon ®反应堆已被用于生长硅单晶从亚微米至厚达 250 微米。Rexon 8 ® 并不局限于一个或两个硅源，但同样执行好上硅烷，dichlorsilane。为那些工厂和铸造厂使用多个硅片直径可能改变这个反应堆以容纳任何从 150 毫米到 300 毫米的晶圆在几秒钟内。

RE DIXON双站反应器

Rexon ® 双站设计允许自动开关在的一个等待的过程分庭的射频发生器。最後过程气体面板提供每个反应堆。这种设计优化的处理时间和电源供应使用同一个单一的工具安装。存款时间小于热起来，冷静下来或单独的进程程序在每个分庭上正在运行时，这种设计是特别有用的。也可以通过放机与第二个射频电源作为一个高使用这个系统。

RE DIXON单站反应器

Rexon ® 单站具有一个进程室用专用的电源。存款时间是多长于的组合加热和降温或需要通过放高并不是主要的问题时，应该使用这种设计。该单一反应器内还用于成长厚厚的多晶硅层厚度超过 25 密耳。进程已成长这聚层在每分钟 3-8 微米。弓通常是少于 3 密耳。细晶粒结构与没有空隙。Rexon ® 反应器具有巨大的门，很简单的操作访问。这些折叠门都已锁定与拉手和轴衬，轴承上旋转。这种组合可以减少颗粒产生和 foRexon8 倒戈清洗和维护也允许方便地访问。

RE DIXON气体流量控制系统

Rexon ® 气体丛林被为了接受所有主要制造商的自动质量流量控制器。布局允许容易添加和删除的组件。过程油管有电抛光的内部，惰性气体与 VCR 连接使用瓦轴配件焊接。外部然后是电抛光。工艺气体系统泄漏率小于 1 × 10-8 他 STD cc/秒 Rexon ® 标配可调线圈清除和注入反应器的底部在单独的进程掺杂剂行的测试。每个 Rexon ® 标配，有两个硅和两个掺杂源。射频加热 Rexon ® 射频线圈设计用于与 RE DIXON MK 系列射频发生器。建立了 200 千瓦型是在 75 到 100 千赫范围内操作。这可以确保足够的权力交付使用传输线路达 50 英尺的长度同时保持足够高，以防止热感颤振的频率。

RE DIXON  Rexon2 ® 反应器室

已执行的最复杂的外延过程证明电抗器室和聚硅生长。硅对蓝宝石、 选择性外延生长，重掺杂衬底、 原位多掺杂浓度和控制的掺杂梯度层的尖锐过渡宽度增长。Rexon2 ® 反应器曾经在所有类型的半导体器件的制造中。无论您的要求是超大规模集成电路、 躁郁、 CMOS、 离散、 数字、线性模拟信号或聚为介质隔离设备，我们做到了。立式气体入口，旋转碳化硅涂层热感，加上专利的钟形配置和可调射频线圈的设计，给出了处理的晶片负载优良均匀性的厚度和电阻率。处理室和水暖设计有已制造的最高标准，以消除金属污染物。Rexon ® 反应堆已被用于生长硅单晶从亚微米至厚达 250 微米。Rexon ® 并不局限于一个或两个硅源，但同样执行以及对硅烷、 dichlorsilane、 三氯氢硅或硅四氯化。对于那些工厂和使用多个硅片直径的铸造厂，可能更改 Rexon ® 以容纳任何从 2"到 200 毫米的晶圆在几秒钟内。