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1P6DD1 684-OGDO
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1P6DD1 684-OGDO
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SIMATIC TDC 圆形电缆 SC63 50针有屏蔽，长度 2m
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SIMATIC S7-400 可采用具有不同性能级别的各种 CPU：
所有 CPU 装在带集成的控制单元和显示单元的塑料外壳中。 相同的单元具有相同的功能。
前面板上有：
除 CPU 412-1 处理器外，所有 CPU 具有：
CPU 414-3 PN/DP, CPU 416-3 PN/DP 和 CPU 416F-3 PN/DP 也可以连接 PROFINET。 每个模板有一个双口的 PROFINET 接口。
高端 CPU 还具有：
此外，CPU 按照其性能进行分级：例如RAM、地址区大小、可装载块的数量以及处理时间。
所有 S7-400 CPU 均具有两种类型的存储器。工作存储器的细分可将性能提高一倍。当一个标准处理器需要访问其 RAM 至少两次时，S7-400 专用处理器可在一个循环周期中同时访问代码存储器和数据存储器。因此，数据总线和代码总线也是独立的。工作存储器的容量取决于从精细分级的 CPU 系列中所选取的适合的 CPU。
对于小型和中等程序，集成式负载内存 (RAM) 就足够了。对于较大的程序，可通过插入内存卡来增加装载内存。插入式闪存卡可用于在不使用电池的情况下进行永久性存储。
相关功能 (FC) 和 功能块 (FB) 可以加密的方式存储于 CPU 以保护专门知识应用。
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商品编号 |
6ES7412-2EK07-0AB0 |
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CPU412-2 PN，1 MB，2 个接口 |
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一般信息 |
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产品型号名称 |
CPU 412-2 PN |
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硬件功能状态 |
01 |
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固件版本 |
V7.0 |
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工程组态方式 |
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STEP 7 V5.5 或以上版本，带 HSP 262 |
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CiR - 在 RUN 模式下组态 |
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CiR 同步时间，基本负载 |
100 ms |
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CiR 同步时间,每个 I/O字节从站的时间 |
30 μs |
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电源电压 |
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额定值 (DC) |
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-；通过系统电源供电 |
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输入电流 |
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从背板总线 5 VDC，典型值 |
1.1 A |
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从背板总线 5 VDC，最大值 |
1.4 A |
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从背板总线 24 VDC，最大值 |
150 mA；每个 DP 接口 150 mA |
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从接口 5 V DC，最大 |
90 mA；在每个 DP 接口处 |
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功耗 |
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功耗，典型值 |
5.5 W |
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功耗，最大值 |
7 W |
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存储器 |
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存储器类型 |
RAM |
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工作存储器 |
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1 MB |
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512 KB |
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512 KB |
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- |
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装载存储器 |
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√；带存储卡(FLASH) |
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64 MB |
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512 KB |
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√；带存储器卡 (RAM) |
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64 MB |
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后备 |
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√ |
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√；所有数据 |
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- |
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电池 |
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后备电池 |
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180 μA；(最高 40 °C ) |
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850 μA |
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模块数据手册中提供了辅助条件和影响因素 |
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5 V DC 到 15 V DC |
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CPU 处理时间 |
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位操作时，典型值 |
31.25 ns |
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字操作时，典型值 |
31.25 ns |
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定点数运算时，典型值 |
31.25 ns |
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浮点数运算时，典型值 |
62.5 ns |
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CPU 块 |
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DB |
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3,000；数值范围：1 - 16000 |
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64 KB |
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FB |
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1,500；数值范围：0 - 7999 |
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64 KB |
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FC |
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|
1,500；数值范围：0 - 7999 |
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|
64 KB |
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