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焊接的碳化硅功率模块在单个封装内集成有两个碳化硅晶体管并在150A/1200V额定电流/电压下实现6 mΩ导通电阻。与传统碳化硅功率模块相比,此功率模块的总体积减少了三分之一。SiC DioMOS(集成二极管的MOSFET)具有反向导电二极管的特性,这些特性再加上该产品良好的可靠性,实现了非常紧凑而高效的功率转换系统。 欢迎致电我司合作三社功率半导体模块。