.jpg "FF200R12KT4集成电路(IC)英飞凌\/INFINEON封装标准封装批号19")
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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| FF200R12KT4 集成电路(IC) 英飞凌/INFINEON 封装标准封装 批号19 品牌 | 英飞凌 | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 19 | ||
| 数量 | 2000 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 产品种类 | IGBT 模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 320 A | ||
| 封装 / 箱体 | 62 mm | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 高度 | 30.5 mm | ||
| 长度 | 106.4 mm | ||
| 宽度 | 61.4 mm | ||
| 安装风格 | Chassis Mount | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 零件号别名 | FF200R12KT4HOSA1 SP000370618 FF200R12KT4HOSA1 | ||
| 单位重量 | 340 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF200R12KT4 | ||
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| 品牌： | 英飞凌/INFINEON |
| 型号： | FF200R12KT4 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 19 |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 320 A |
| 封装 / 箱体： | 62 mm |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 高度： | 30.5 mm |
| 长度： | 106.4 mm |
| 宽度： | 61.4 mm |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FF200R12KT4HOSA1 SP000370618 FF200R12KT4HOSA1 |
| 单位重量： | 340 g |
