专业供应FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
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产品价格:¥0(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:深圳
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    商品详情
      完整型号:
      FQA18N50V2
      FQP18N50V2
      FQPF18N50V2
      FQD18N20V2TM
      FQPF18N20V2
      FQP18N20V2
      FQU18N20V2
      FQD18N20V2
      品牌: FAIRCHILD
      封装: SOT-252,TO-251,TO-220
      年份: 09+
      数量: 300000
      最小包装:编带盘装 2500/盘
      产品描述:
      FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
      平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术,特别是针对已
      尽量减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住了高能量脉冲
      雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车,高低压应用
      效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
      特点
      1.15A,200V,RDS(on)=0.14Ω@ VGS电压= 10V
      2.低栅极电荷(典型值20nC)
      3.低Crss(25 pF的典型)
      4,快速切换
      5.100%雪崩测试
      6.改进的dv/dt的能力
    在线询盘/留言
  • 0571-87774297