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一.微机综合保护装置简介
1.装置概述
1.1装置简介
新一代数字式保护测控装置适用于110kV以下各电压等级的间隔单元的保护测控,具备完善的保护、测量、控制、备用电源自投及通信监视功能,为变电站、发电厂、高低压配电及厂用电系统的保护与控制提供了完整的解决方案,可有力地保障高低压电网及厂用电系统的安全稳定运行。可以和其它保护、自动化设备一起,通过通信接口组成自动化系统。全部装置均可组屏集中安装,也可就地安装于高低压开关柜。
具体功能型号划分:
名称 |
综合保护测控装置 |
电动机保护测控装置 |
备用电源自投装置 |
电压并列/切换装置 |
应用范围 |
线路保护、出线保护,馈线保护,变压器测控保护、所用变保护,变压器后备保护、母联保护、电容器保护。 |
电动机保护测控 |
双进线、双母联备投,桥备自投 |
双母线、主变低压侧双分支PT电压并列/切换 |
1.2装置特点
u 采用全密封式结构,具有良好的抗震、防尘性能
u 小型化设计,体积小,重量轻,外形美观,安装方便
u 采用独特的可靠性设计,无可调元件,装置稳定性好,抗干扰性强
u 全汉化液晶显示,人机界面清晰易懂,操作整定极为方便
u 装置供电电源为交直流两用、装置操作电源为DC220V,如需DC110V,AC110V,AC220V需订货时注明。
u 具有RS485总线串行通信口,并集成了MODBUS标准通信规约
u 具有事件顺序记录功能,可记录150条事件,数据掉电不丢失
u 具备完善的自检功能,完整的异常记录、事件记录、操作记录,所有信息掉电保持
u 外形小巧精细、结构合理,采用高等级、高品质的元器件及多层板技术和SMT工艺,使产品具有很高的电气性能
u 内部集成零序电流(电压)合成算法可外加零序PT(CT)也可不外加零序CT(PT),实现零序过流电压保护。
u 采用精密合成算法,可通过按键MENU操作来实现V-V接法和Y型接法通用。
u 具有完整的断路器操作回路
u 超低功耗
1.3引用标准
GB6162-85 《静态继电器及保护装置的电气干扰试验》
GB7261-87 《继电器及继电保护装置基本试验方法》
GB2887-89 《计算机站场地技术条件》
GB 14258-93 《继电保护和安全自动化装置技术规程》
GB 50062-92 《电力装置的继电保护和自动化装置设计规范》
DL/T 527-2002《静态继电保护装置逆变电源技术》
IE870-5-103 《继电保护信息接口标准》
GB /T15145-94《微机线路保护装置通用技术条件》
GB/T16435.1-1996《远动设备及系统和接口(电气特征)》
GB /T17626.2 《静电放电抗扰度试验》
GB /T17626.3 《射频电磁场辐射抗扰度试验》
GB/T17626.4 《电快速瞬变脉冲群抗扰度试验》
GB/T17626.5 《浪涌冲击抗扰度试验》
GB /T17626.6 《射频场感应的传导骚扰抗扰度试验》
GB/T17626.8 《工频磁场抗扰度试验》
GB /T17626-1998《电磁兼容试验和测量技术》
GB/T14537-1993《量度继电器和保护装置的冲击与碰撞试验》
1.4装置结构
1.4.1结构
采用标准机箱,整面板、背插式结构,嵌入式、后接线安装方式,强弱电隔离,大大加强了其产品的电气性能。
1.4.2插件
本装置的插件上包括CPU插件、AC和TRIP插件:其中CPU插件为装置的核心,为高度集成的CPU,其中包括了RAM、Flash Memory和AD等芯片的功能;AC插件包括电源和模拟量采集;TRIP插件包括出口、开入和操作回路。
1.4.2.1 CPU
1)CPU系统
CPU系统由微处理器CPU、RAM、ROM、Flash Memory等构成。包括高性能的16位微处理器CPU,大容量的ROM、RAM及Flash Memory,使得该CPU模件具有极强的数据处理及记录能力,可以实现各种复杂的故障处理方案和记录大量的故障数据,可记录的事件数不少于500次。保护定值等运行配置信息也存入该存储器中,这些信息在装置掉电后均不会丢失。
2)开关量输入及输出部分
开入量分为内部开入和外部开入,内部开入采用DC5V开入,电源由装置电源本身提供,外部开入采用一级光耦,实现DC220V直接输入电平。
开出是用于驱动出口的继电器, 共有2个,一个为跳闸继电器,一个为合闸继电器。
3)通信部分
本插件内含通信速度极高、具备通用性接口的RS485总线网络芯片,RS485网为本装置接入系统的主要通信接口。
4)时钟回路
插件内设置了硬件时钟回路,采用的时钟芯片精度高,并配有电池以掉电保持。
另外,CPU插件采用了多层印制板及表面封装工艺,外观小巧,结构紧凑,大大提高了装置的可靠性及抗电磁干扰能力。