APRO 40P DOM盘 WPMIF256M-HAISI-0V-U
APRO 40P DOM盘 WPMIF256M-HAISI-0V-U
产品价格:¥333(人民币)
  • 规格:
  • 发货地:北京海淀大街34号
  • 品牌:
  • 最小起订量:1个
  • 免费会员
    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:北京星研控科技有限责任公司.

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    商品详情
      工业级宽温40针IDE闪存模块
      APRO工业宽温40针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级宽温闪存模块工作温度是 -40℃ ~ +85℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
      特点
      ●      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
      ●      真正支持IDE模式 
      ●      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
      ●      支持磨损平整和先进的坏区管理算法
      ●      可选择垂直安装或水平安装
      ●      可选择主盘/从盘设置
      ●      工作电压 +5V
      ●      存储容量从128MB~32GB
      ●      工作温度范围 -40℃ ~ +85℃
      规格说明
      ●符合RoSH环保                                                                                      有
      ●兼容性                                                  ATAPI-6和Ture IDE
      ●闪存技术                                                NAND型SLC Flash
      ●样式                                                    垂直型和水平
        ◆连接                                                   40针
      ●系统性能
        ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4
        ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
        ◆连续读                                                 40.0MB/sec(Max)
        ◆连续写                                                 17.0MB/sec(Max)
        ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)
      ●环境指标
        ◆工作温度                                               -40℃ ~ +85℃
        ◆非工作温度                                             -50℃ ~ +95℃
        ◆湿度                                                   5% ~95%(无凝结)
        ◆噪声                                                   0db
        ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F
        ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
        ◆高度                                                   70.000M
      ●功耗
        ◆电压要求                                                               +5V±10% ;
        ◆读电流                                                                  128.0 mA(Max.);
        ◆写电流                                                                118.0 mA(Max.);
        ◆休眠模式电流                                          1.8 mA(Max.);
      ●可靠性
        ◆MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上
        ◆纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code
        ◆读写次数                                                                                             2.000.000次
        ◆数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误
        ◆数据保存期                                                                                        10年
      ●物理尺度
        ◆重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
        ◆尺寸(宽*长*高)                                     垂直型60.2mm *27.79mm *6.4mm: 水平型55.0mm*32.4mm*7.4mm
      ●质保                                                   5年
      产品订购信息(型号清单)
      样式
      40针IDE闪存模块
      工作温度
      -40℃ ~ +85℃
      产品图片
      容量
      类型
      PIO-4
      UDMA-4
      40针垂直型
      128MB
      垂直
      WPMIF128M-HAISI-0V-P
      WPMIF128M-HAISI-0V-U
      128MB
      水平右
      WBMIF128M-HAISI-0R-P
      WBMIF128M-HAISI-0R-U
      128MB
      水平左
      WBMIF128M-HAISI-0L-P
      WBMIF128M-HAISI-0L-U
      256MB
      垂直
      WPMIF256M-HAISI-0V-P
      WPMIF256M-HAISI-0V-U
      256MB
      水平右
      WBMIF256M-HAISI-0R-P
      WBMIF256M-HAISI-0R-U
      256MB
      水平左
      WBMIF256M-HAISI-0L-P
      WBMIF256M-HAISI-0L-U
      512MB
      垂直
      WPMIF512M-HAISI-0V-P
      WPMIF512M-HAISI-0V-U
      512MB
      水平右
      WBMIF512M-HAISI-0R-P
      WBMIF512M-HAISI-0R-U
      512MB
      水平左
      WBMIF512M-HAISI-0L-P
      WBMIF512M-HAISI-0L-U
      40针水平型向右
      1GB
      垂直
      WPMIF001G-HAISI-0V-P
      WPMIF001G-HAISI-0V-U
      1GB
      水平右
      WBMIF001G-HAISI-0R-P
      WBMIF001G-HAISI-0R-U
      1GB
      水平左
      WBMIF001G-HAISI-0L-P
      WBMIF001G-HAISI-0L-U
      2GB
      垂直
      WPMIF002G-HAISI-0V-P
      WPMIF002G-HAISI-0V-U
      2GB
      水平右
      WBMIF002G-HAISI-0R-P
      WBMIF002G-HAISI-0R-U
      2GB
      水平左
      WBMIF002G-HAISI-0L-P
      WBMIF002G-HAISI-0L-U
      4GB
      垂直
      WPMIF004G-HAISI-0V-P
      WPMIF004G-HAISI-0V-U
      4GB
      水平右
      WBMIF004G-HAISI-0R-P
      WBMIF004G-HAISI-0R-U
      4GB
      水平左
      WBMIF004G-HAISI-0L-P
      WBMIF004G-HAISI-0L-U
      40针水平型向左
      8GB
      垂直
      WPMIF008G-HAISI-0V-P
      WPMIF008G-HAISI-0V-U
      8GB
      水平右
      WBMIF008G-HAISI-0R-P
      WBMIF008G-HAISI-0R-U
      8GB
      水平左
      WBMIF008G-HAISI-0L-P
      WBMIF008G-HAISI-0L-U
      16GB
      垂直
      WPMIF016G-HAISI-0V-P
      WPMIF016G-HAISI-0V-U
      16GB
      水平右
      WBMIF016G-HAISI-0R-P
      WBMIF016G-HAISI-0R-U
      16GB
      水平左
      WBMIF016G-HAISI-0L-P
      WBMIF016G-HAISI-0L-U
      32GB
      垂直
      WPMIF032G-HAISI-0V-P
      WPMIF032G-HAISI-0V-U
      32GB
      水平右
      WBMIF032G-HAISI-0R-P
      WBMIF032G-HAISI-0R-U
      32GB
      水平左
      WBMIF032G-HAISI-0L-P
      WBMIF032G-HAISI-0L-U
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