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(1)、MOS场效应管是工作电压控制部件，而晶体管是电流量控制部件。三极管耗损大，场效应晶体管耗损较小。

(2)、MOS场效应管是利用大部分自由电子导电性，而晶体管是既有大部分自由电子，也利用极少数自由电子导电性，一般来说成本低场所，一般运用的先考虑到用三极管，不好得话考虑到场效应晶体管。

(3)、有一些场效应管的源极和漏极能够交换应用，栅压也可正可负，协调能力比晶体管好。

(4)、MOS场效应管能在不大电流量和很低压的标准下工作中，并且它的生产制造技术能够很便捷地把许多场效应管集成化在一块单晶硅片上，因而场效应管在规模性集成电路芯片中取得了普遍的运用。

(5)、场效应晶体管具备较高输入电阻和低噪音等优势，因此也被普遍使用于各类电子产品中。特别是在用场效应管做全部电子产品的输入级，能够得到 一般晶体管难以做到的特性。

(6)、MOS场效应管分为结型和绝缘层栅型两类，其操纵基本原理全是一样的。

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