在真空环境产生等离子体的原因很多,主要有以下两个原因:
      引入真空室的气体在压力环境下不会电离,在充入气体电离产生等离子体之前bi须达到真空环境。另外，真空环境允许我们控制真空室中气体种类，这对等离子处理体过程的可重复性是至关重要的。
     要进行等离子处理产品,首先我们要产生等离子体。首先，单一气体或者混合气体被引入密封的低压真空等离子体室。随后这些气体被两个电极板之间产生的射频(RF) 激活，这些气体中被激活的离子加速，开始震动。这种振动“用力擦洗”需要清洗材料表面的污染物。
     在处理过程中,等离子体中被激活的分子和原子会发出紫外光，从而产生等离子体辉光。温度控制系统常用于控制刻蚀速率。60 - 9d摄氏度温度之间刻蚀，是室温刻蚀速度的四倍。对温度敏感的部件或组件,等离子体蚀刻温度可以控制在15摄氏度。我们所有的温度控制系统已经预编程并集成到等离子体系统的软件中间。设置保存每个等离子处理的程序能轻松复制处理过程。
     可以通过向等离子体室中引入不同气体，改变处理过程。常用的等离子处理.气体包括02、N2,Ar,H2 和CF4。大多数实验室，基本上都使用这五种气体单独或者混合使用进行等离子体处理。

等离子体处理过程通常需要大约两到十分钟。当等离子体处理过程完成时,真空泵去除等离子室中的污染物，室里面的材料是清洁,消过毒的,可以进行粘接或下一步程序。

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