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日本神钢“KOBELCO”低碳钢和高强度钢焊条 型号 AWS 主要 LB-52 E7016 用于大型结构的对接焊及角焊。 LB-52U E7016 用于管道的单面焊接。使用较小电流单面焊接时,电弧稳定性非常好。 :长安蒂森焊条图片 LB-52NS E7016-G 焊缝金属在-30℃下具有良好的CTOD性能,在-60℃下有较高冲击韧性。 LB-62 E9016-G 用于550-610MPa级高强度钢的对接焊和角焊。 LB-62UL E9016-G 用于550-610MPa级高强度钢的对接焊和角焊,该焊条为超低氢型具有优良的抗裂性能。 LBW-52 E7016-G 用于耐大气腐蚀钢的对接焊及角焊。 LB-106 E10016-G 用于焊接690MPa级高强度钢。 LB-116 E11016-G 用于焊接780MPa级高强度钢。 NB-ISJ E8016-G 用于低温钢的对接焊及角焊。适于550MPa级高强度钢,推荐采用交流电。 日本神钢“KOBELCO”低合金耐热钢焊条 型号 AWS 主要 CM-3H 用于焊接 3 % Cr-1 % Mo-V 钢。 CM-5 E8016-B6 用于焊接 5 % Cr-0.5 % Mo 钢。 CM-9 E8016-B8 用于焊接ASTM A387 Gr.9 钢和类似钢种。 CM-9Cb E9018-G 用于焊接ASTM A387 Gr.91 钢和类似钢种。 CM-96B9 E9016-B9 用于焊接ASTM A387 Gr.91 钢和类似钢种。 CMA-96 E8016-B2 用于焊接ASTM A387 Gr.11,Gr12 钢和类似钢种。 CMA-96MB E8016-B2 用于焊接ASTM A387 Gr.11,Gr12 钢和类似钢种。有较低抗拉强度,较高冲击韧性。 CMA-106 E9016-B3 用于焊接ASTM A387 Gr.22 钢和类似钢种。 CMA-106N E9016-B3 用于焊接ASTM A387 Gr.22 钢和类似钢种。有较低抗拉强度,较高冲击韧性。 CMB-108 E9018-B3 用于焊接2.25%Cr-1%Mo钢 CM-2CW 用于焊接T23管子和P23管子。 日本神钢“KOBELCO”不锈钢焊条 型号 AWS 主要 NC-38 E308-16 用于对接焊及角焊,适用于SUS304钢。 NC-38H E308H-16 用于焊接高温下使用的18%Cr-8%Ni不锈钢。 NC-38L E308L-16 用于对接焊及角焊,含炭量较低,适用于 SUS304L钢。 NC-39 E309-16 用于不锈钢与其它钢的异种钢焊接和复合钢过渡层焊接。 NC-39L E309L-16 用于不锈钢与其它钢的异种钢焊接和复合钢过渡层焊接,含炭量较低。 NC-309MoL E309MoL-16 用于不锈钢与其它钢的异种钢焊接和复合钢过渡层焊接,含炭量较低。 NC-30 E310-16 用于对接焊及角焊,适用于SUS310钢。 NC-36 E316-16 用于对接焊及角焊,适用于SUS316钢。 NC-36L E316L-16 用于对接焊及角焊,适用于SUS316L钢。 NC37 E347-16 用于焊接18%Cr-8%Ni-Nb不锈钢。 NC-317L E317L-16 用于焊接19%Cr-13%Ni-3%Mo超低碳不锈钢。 CR40 E410-16 用于焊接13%Cr氏体不锈钢。 日本神钢“KOBELCO”低碳钢和高强度钢焊丝 型号 AWS 主要 TGS-50 ER70S-G 用于焊接低碳钢、490MPa级高强度和低温铝镇静钢。 TGS-1N ER70S-G 用于焊接低温钢。 TGS-3N ER70S-G 用于焊接3.5%Ni钢。 TGS-51T ER70S-6 用于焊接低碳钢、490MPa级高强度和低温铝镇静钢。 TGS-62 ER80S-G 用于焊接550-590MPa级高强度钢。 US-36 F7A6-EH14 用于低碳钢和490MPa级高强度钢。 :长安蒂森焊条图片不要采用不同金属的导线相互连接。屏蔽管(层)应可靠接地,并保证整个长度上连续可靠接地。信号电路中要使用双绞线屏蔽电缆。屏蔽层接地点尽量远离变频器,并与变频器接地点分开。磁环可以在变频器输入电源线和输出线上使用,具体方法为:输入线一起朝同一方向绕4圈,而输出线朝同一方向绕3圈即可。绕线时需,尽量将磁环靠近变频器。一般对被干扰设备仪器,均可采取屏蔽及其它抗干扰措施。、想提高原有输送带的速度,以8Hz运转,变频器的容量该怎样选择?输送带消耗的功率与转速成正比,因此若想以8HZ运行,变频器和电机的功率都要按照比例增加为8HZ/5HZ,即提高6%容量。、采用PWM和VVC+的区别是什么?在VVC中,控制电路用一个数学模型来计算电机负载变化时的佳的电机励磁,并对负载加以补偿。此外集成于ASIC电路上的同步6PWM方法决定了逆变器半导体器件(IGBTS)的佳开关时间。