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日立IGBT模块MBL400E33D地铁机车用制动
北京京诚宏泰科技有限公司销售供应日立IGBT模块MBL400E33D地铁机车用制动
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;电容;晶闸管;IPM模块;半导体功率模块;PLC模块,风机,传感器,驱动板,主控板,电源板,变频器配件
IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
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MBL800E33C
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MBN1000GR12A
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MBN1200E33D
MBN1200E33E
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IGBT模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、UPS不间断电源等设备上。
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
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MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
IGBT模块;单管IGBT模块;双管半桥IGBT模块;4单元H桥IGBT模块;3单元IGBT模块;6单元三相全桥IGBT模块;
三电平IGBT模块;6500V高压IGBT模块;3300V高压IGBT模块;4500V高压IGBT模块;IPM模块;PIM模块;PLC模块;GTR达林顿模块 ;GTO晶闸管;普通晶闸管;北京京诚宏泰科技有限公司
快速晶闸管; 二极管;快恢复二极管;整流桥;刹车整流器;单相整流桥;三相整流桥;全控整流桥;半控整流桥;可控硅;双向可控硅;反并联可控硅;驱动板;北京京诚宏泰科技有限公司 关键词
IGBT驱动板;可控硅驱动板;可控硅触发板;晶闸管触发板; MOSFET管;场效应模块;电容;直流铝电解电容;交流滤波电容;启动电容器;无功补偿电容器;北京京诚宏泰科技有限公司 关键词
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ABB变频传动备件;西门子变频传动/直流调速备件
如果正输入电压通过栅极,发射极保持驱动电路开启。另一方面,如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负,则会关闭电路应用。
由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管,因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。
对于传统的 BJT,增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同,我们将其称为 Beta 并表示为 β。
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另一方面,对于 MOS管,没有输入电流,因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定 IGBT 的增益。
IGBT的典型应用