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南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
描述
NP2300采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和高
超低导通电阻密度电池设计。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
? VDS=20V，ID=5A RDS（开）（典型）=3200万? @VGS=2.5V
RDS（开启）（典型）=2600万? @VGS=4.5V
? 高功率和电流处理能力
? 获得无铅产品
? 表面贴装封装
应用
? PWM应用
? 负荷开关
包裹
? SOT-23
