士兰微电子电源管理芯片SDH8666Q为内置高压功率MOSFET的可做40W多重模式控制器 SDH8666Q是用于开关电源的带高压启动、内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式 PWM+PFM控制器。 SDH8666Q 内置高压启动恒流源,以实现高压启动。待机功耗低,小于40mW。具有多重模式控制:在重载下,高压时工作在 QR 模式,可以 减小开关损耗,低压时工作固定频率(65KHz)的 CCM 模式。在中载和轻载下,工作在 QR+PFM 模式,可以提高转换效率。在空载下,进入打嗝模式,有效地降低电路的待机功耗。 SDH8666Q 具有抖频功能,以降低 EMI。具有峰值电流补偿功能,在 不同的 AC 输入电压下能保持限输出功率一致。还有软启动功能,在上电过程中减小器件应力。 SDH8666Q内部集成了各种异常状态的保护功能,包括VCC过压保护,输出过载保护,输出过压保护,*消隐,逐周期峰值限流,输出二管短路保护,AC 输入电压欠压保护和过温保护等。 应用 ??开放式电源 ??适配器 ??机顶盒电源 SDH8666Q 是用于开关电源的带高压启动、内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式 PWM+PFM控制器。内置高压启动恒流源,有多重模式控制,具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能,还集成各种异常状态的保护功能。SDH8666Q 可减少外围元件,增加效率和系统的可靠性,适用于反激式变换器。 1.高压启动 AC 上电后,SDH8666Q 从DRAIN端通过内置高压启动恒流源对VCC端外接电容进行充电,充电电流为 3mA,VCC电压开始上升;当VCC电压升到开启电压16V时,芯片开始工作,关断高压启动恒流源,转由辅助绕组供电。当功率MOSFET关断VCC电压下降到关断电压8V时,控制电路整体关断,电路消耗的电流变小。为减少保护状态下电路重启的次数和系统功耗,VCC继续降低直到**锁** 5V,再重新打开高压启动恒流源,对VCC端外接电容进行充电,芯片重新开始启动过程。 2.多种控制模式 SDH8666Q 具有多重模式控制。在重载条件下(VFB>2.3V),系统会有两种工作状态,当输入电压低时,工作CCM模式,此时为PWM控制,固定频率 65KHz,当输入电压高时,工作在DCM模式,此时工作在QR模式,可以减小开关损耗,较大频率限制在80KHz。随着负载降低,在中载和轻载条件下(1.7V
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