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    全球首枚TD-LTE基带芯片问世
    发布者:itccom  发布时间:2010-04-20 10:09:06  访问次数:

                    全球首枚TD-LTE基带芯片问世 支持20兆带宽 

           4月15日消息,腾讯科技从中国移动研究院获悉,全球首枚TD-LTE基带芯片问世,此款芯片是全球首款支持20兆带宽的TD-LTE基带通信芯片,是在中国移动研究院的大力推动和重点资金扶持下,由北京创毅视讯公司与其合作伙伴香港应科院开发成功的。 
           目前该芯片已经和数家主流系统厂商完成了互联互通测试,并已经在世博会场馆演示,可以在上海世博会期间支持多种TD-LTE数据业务,服务世博。该芯片的问世,大幅度加快了TD-LTE的产业化进程。
    该款芯片是由北京创毅视讯公司研发。此前,创毅视讯也曾是全球首枚CMMB核心芯片的研发者,并在TD-CMMB终端领域与中移动及产业链其他厂商展开积极合作。
           而应用于世博的数据卡,则是联想移动基于此芯片开发的。后续创毅视讯将在TD-LTE系统测试、标准演进、产业链建设等多方面与合作伙伴展开深入合作。
    据了解,中国移动承建的TD-LTE宽带移动通信演示网今日在上海世博园正式开通。此次中国移动在本届世博会上搭建的TD-LTE演示网覆盖世博园全园5.28平方公里,在世博园区内共建有TD-LTE室外站17个,实现了对9个场馆的室内覆盖,包括浦东7个场馆,浦西2个场馆。
    TD-LTE演示网理论峰值传输速率可以达到下行100Mbps、上行50Mbps。

    本文来自:我爱研发网(52RD.com) - R&D大本营
    详细出处:http://www.52rd.com/S_TXT/2010_4/TXT21595.HTM
     
    2010-04-19

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